SiC與其他半導體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開(kāi)發(fā)中，傅立葉變換紅外光譜技術(shù)（FT-IR）是一種簡(jiǎn)單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度、外延層厚度或聲子光譜，對晶體結構和質(zhì)量提供有價(jià)值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)（FT-PL）可以提供額外的信息，如能帶結構和電荷載流子的細節。透射光譜技術(shù)可以研究半導體的帶隙、激子和其他電子特性。此外，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開(kāi)發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。